M29F200FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F200FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F160FT55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F200FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Flash
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $4.90
메모리 유형 NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
메모리 구성 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청