M29F200FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F400FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FT55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $2,95 |
| Speichertyp | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 4 Mbit (4194 kbit) |
| Speicherorganisation | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 256K x 16 / 512K x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Versorgungsspannung | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |