M29F200FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology e M29F400FB55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29F200FT55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $2,95 |
| Tipo de memória | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 4 Mbit (4194 kbit) |
| Organização da memória | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 256K x 16 / 512K x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensão de alimentação | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |