M29F200FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F200FT55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $2,95 |
| Tipo de memoria | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 4 Mbit (4194 kbit) |
| Organización de memoria | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 256K x 16 / 512K x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensión de alimentación | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |