M29F400FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F400FB55N3F2 von Micron Technology und M29F200FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F400FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,95 | $0,00 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 48-pin TSOP |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |