M29F400FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F400FB55N3F2 por Micron Technology y M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F400FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,95 | $0,00 |
| Tipo de memoria | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organización de memoria | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tensión de alimentación | 5 V | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-pin TSOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |