M29F400FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F400FB55N3F2 par Micron Technology et M29F200FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F400FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $0,00 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-pin TSOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |