M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FB55N3F2 von Micron Technology und M29F800FT55M3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktiv
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M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,47 $3,95
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Speicherorganisation 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
Versorgungsspannung 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Schnittstellentyp Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS-Status Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
Speichertyp — NOR Flash
Speichergröße — 8 Mbit
Schnittstelle — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
Gehäuse — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

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