M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 比較

詳細な並列比較: M29F800FB55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29F800FT55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 生産中
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M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.47 $3.95
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
メモリ構成 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
電源電圧 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
インターフェースタイプ Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS ステータス Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
メモリタイプ — NOR Flash
メモリサイズ — 8 Mbit
インターフェース — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
パッケージ — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

データシート&リソース

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