M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55N3F2 от Micron Technology и M29F800FT55M3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FB55N3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,47 | $3,95 |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| Организация памяти | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16 bit |
| Напряжение питания | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Тип интерфейса | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free terminations) | Compliant (E suffix) |
| Тип памяти | — | NOR Flash |
| Размер памяти | — | 8 Mbit |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |
| Корпус | — | 44-SO (SOP) |
| Density | — | 8389 kbits |