M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FB55N3F2 por Micron Technology y M29F800FT55M3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,47 $3,95
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organización de memoria 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
Tensión de alimentación 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Tipo de interfaz Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Estado RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
Tipo de memoria — NOR Flash
Tamaño de memoria — 8 Mbit
Interfaz — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
Encapsulado — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

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