M29F800FT55M3E2 vs M29F800FT55M3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55M3E2 von Micron Technology und M29F800FT55M3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktiv
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M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,95 $2,10
Speichertyp NOR Flash Parallel NOR Flash
Speichergröße 8 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Schnittstelle Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Gehäuse 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (E suffix) Compliant (lead-free suffix F2)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Datenblätter & Ressourcen

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