M29F800FT55M3E2 vs M29F800FT55M3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FT55M3E2 por Micron Technology y M29F800FT55M3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,95 $2,10
Tipo de memoria NOR Flash Parallel NOR Flash
Tamaño de memoria 8 Mbit —
Organización de memoria 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Interfaz Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Encapsulado 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (E suffix) Compliant (lead-free suffix F2)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

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