M29F800FT55M3E2 vs M29F800FT55M3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55M3E2 par Micron Technology et M29F800FT55M3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ ActifMicron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29F800FT55M3E2 | M29F800FT55M3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | EEPROM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,95 | $2,10 |
| Type de mémoire | NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Taille de mémoire | 8 Mbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 bit | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Interface | Parallel | Parallel, x8/x16 selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boot Block Location | Top boot block | — |
| Program/Erase Cycles | 100,000 per block | — |
| Program Algorithm | Embedded byte/word program | — |
| Erase Features | Erase suspend and resume | — |
| Standby Mode | Automatic standby, low power | — |
| Identification | Electronic signature | — |
| Boîtier | 44-SO (SOP) | 44-pin SO (SOP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free suffix F2) |
| Density | 8389 kbits | 8 Mbit (8389 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Position | — | Top boot block |
| Programming Interface | — | Embedded program/erase controller |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |