M29F800FT55M3E2 vs M29F800FT55M3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55M3E2 от Micron Technology и M29F800FT55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,95 $2,10
Тип памяти NOR Flash Parallel NOR Flash
Размер памяти 8 Mbit —
Организация памяти 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Интерфейс Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Access Time 55 ns 55 ns
Напряжение питания 5 V —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Корпус 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (E suffix) Compliant (lead-free suffix F2)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену