M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55M3F2 von Micron Technology und M29F800FT55M3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ AktivMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | EEPROM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,10 | $3,95 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| Speicherorganisation | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 44-pin SO (SOP) | 44-SO (SOP) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Schnittstelle | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free suffix F2) | Compliant (E suffix) |
| Speichergröße | — | 8 Mbit |
| Versorgungsspannung | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |