M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FT55M3F2 por Micron Technology y M29F800FT55M3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,10 $3,95
Tipo de memoria Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
Organización de memoria 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Interfaz Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Estado RoHS Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (E suffix)
Tamaño de memoria — 8 Mbit
Tensión de alimentación — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

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