M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55M3F2 por Micron Technology e M29F800FT55M3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $3,95
Tipo de memória Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
Organização da memória 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Interface Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Status RoHS Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (E suffix)
Tamanho da memória — 8 Mbit
Tensão de alimentação — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Fichas técnicas e recursos

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