M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 比較
詳細な並列比較: M29F800FT55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F800FT55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | EEPROM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.10 | $3.95 |
| メモリタイプ | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| メモリ構成 | 512K x 16 / 1M x 8 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| パッケージ | 44-pin SO (SOP) | 44-SO (SOP) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| インターフェース | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS ステータス | Compliant (lead-free suffix F2) | Compliant (E suffix) |
| メモリサイズ | — | 8 Mbit |
| 電源電圧 | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |