M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W064FB70N3E von Micron Technology und M29W064FT70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W064FB70N3E M29W064FT70N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Flash Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Speichergröße 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
Versorgungsspannung 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel, CFI compliant Parallel, CFI compliant
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
Gehäuse 48-Pin TSOP 48-TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +85C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
Speicherorganisation — 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern