M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W064FB70N3E por Micron Technology e M29W064FT70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W064FB70N3E M29W064FT70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Flash Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Tamanho da memória 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
Tensão de alimentação 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel, CFI compliant Parallel, CFI compliant
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
Encapsulamento 48-Pin TSOP 48-TSOP
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +85C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
Organização da memória — 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Fichas técnicas e recursos

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