M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3E Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W064FB70N3E por Micron Technology y M29W064FT70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ Activo
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W064FB70N3E M29W064FT70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Flash Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memoria NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Tamaño de memoria 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
Tensión de alimentación 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
Interfaz Parallel, CFI compliant Parallel, CFI compliant
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
Encapsulado 48-Pin TSOP 48-TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +85C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
Organización de memoria — 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

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