M29W064FB70N3E vs M29W064FT70N3E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W064FB70N3E par Micron Technology et M29W064FT70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ Actif
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W064FB70N3E M29W064FT70N3E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Flash Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Taille de mémoire 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
Tension d'alimentation 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel, CFI compliant Parallel, CFI compliant
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
Boîtier 48-Pin TSOP 48-TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +85C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
Organisation de la mémoire — 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Fiches techniques et ressources

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