M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3E von Micron Technology und M29W160ET70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktiv
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M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W160EB70N3E M29W160ET70N3F
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,76 $2,80
Speichertyp FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Speichergröße 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Speicherorganisation 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse / Bauform 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Versorgungsspannung — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Gehäuse — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

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