M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160EB70N3E por Micron Technology e M29W160ET70N3F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160EB70N3E M29W160ET70N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,76 $2,80
Tipo de memória FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Tamanho da memória 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Organização da memória 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tensão de alimentação — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Encapsulamento — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

Fichas técnicas e recursos

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