M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W160EB70N3E por Micron Technology y M29W160ET70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Activo
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M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W160EB70N3E M29W160ET70N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,76 $2,80
Tipo de memoria FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Tamaño de memoria 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Organización de memoria 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Interfaz Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado / Carcasa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tensión de alimentación — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Encapsulado — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

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