M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160EB70N3E от Micron Technology и M29W160ET70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160EB70N3E M29W160ET70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,76 $2,80
Тип памяти FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Размер памяти 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Организация памяти 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус / Типоразмер 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Напряжение питания — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Корпус — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену