M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3E von Micron Technology und M29W800FB70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,76 $0,91
Speichertyp FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
Speichergröße 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Speicherorganisation 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
Betriebstemperatur -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Gehäuse / Bauform 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
Schnittstellentyp — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Gehäuse — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Datenblätter & Ressourcen

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