M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W160EB70N3E par Micron Technology et M29W800FB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Actif
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,76 $0,91
Type de mémoire FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
Taille de mémoire 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Organisation de la mémoire 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Boîtier / Format 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
Type d'interface — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Boîtier — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Fiches techniques et ressources

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