M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160EB70N3E от Micron Technology и M29W800FB70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,76 $0,91
Тип памяти FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
Размер памяти 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Организация памяти 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
Рабочая температура -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Корпус / Типоразмер 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
Тип интерфейса — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Корпус — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену