M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160EB70N3E por Micron Technology e M29W800FB70N3F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,76 $0,91
Tipo de memória FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
Tamanho da memória 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Organização da memória 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
Temperatura de operação -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
Tipo de interface — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Encapsulamento — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Fichas técnicas e recursos

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