M29W160EB70N3F vs M29W160EB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3F von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160EB70N3F | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,01 | $1,76 |
| Speichertyp | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel (Byte/Word-wide) | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | 10 us (typical) |
| Boot Block Position | Bottom boot block | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Gehäuse / Bauform | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | Tray |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| Erase Architecture | Block erase (boot block + main blocks) | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI compliant) | — |
| Reset Input | RESET# hardware reset pin | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Speicherorganisation | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |