M29W160EB70N3F vs M29W160EB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160EB70N3F par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160EB70N3F | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,01 | $1,76 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel (Byte/Word-wide) | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | 10 us (typical) |
| Boot Block Position | Bottom boot block | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Boîtier / Format | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | Tray |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| Erase Architecture | Block erase (boot block + main blocks) | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI compliant) | — |
| Reset Input | RESET# hardware reset pin | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |