M29W160EB70N3F vs M29W160EB70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160EB70N3F от Micron Technology и M29W160EB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160EB70N3F M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160EB70N3F M29W160EB70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,01 $1,76
Тип памяти FLASH - NOR FLASH - NOR
Размер памяти 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel (Byte/Word-wide) Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) 10 us (typical)
Boot Block Position Bottom boot block —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Корпус / Типоразмер 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Qualification Automotive, AEC-Q100 —
Erase Architecture Block erase (boot block + main blocks) —
Common Flash Interface Yes (CFI compliant) —
Reset Input RESET# hardware reset pin —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Организация памяти — 2M x8 / 1M x16
Cell Type — SLC NOR
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену