M29W160ET70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W160ET70N3F von Micron Technology und M29W800FT70ZA3SE von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W160ET70N3F M29W800FT70ZA3SE
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,80 $1,38
Speichertyp Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Speichergröße 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
Versorgungsspannung 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS SLC
Boot Block Architecture Top boot Top boot (FT = top boot block)
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Gehäuse 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel —
RoHS-Status RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set CFI command set
Number of Terminals 48 —
Speicherorganisation — 512K x 16
Schnittstelle — Parallel
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Datenblätter & Ressourcen

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