M29W160ET70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W160ET70N3F por Micron Technology y M29W800FT70ZA3SE por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Activo
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W160ET70N3F M29W800FT70ZA3SE
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,80 $1,38
Tipo de memoria Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Tamaño de memoria 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
Tensión de alimentación 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS SLC
Boot Block Architecture Top boot Top boot (FT = top boot block)
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Encapsulado 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel —
Estado RoHS RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set CFI command set
Number of Terminals 48 —
Organización de memoria — 512K x 16
Interfaz — Parallel
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

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