M29W160ET70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W160ET70N3F par Micron Technology et M29W800FT70ZA3SE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Actif
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W160ET70N3F M29W800FT70ZA3SE
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,80 $1,38
Type de mémoire Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Taille de mémoire 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
Tension d'alimentation 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS SLC
Boot Block Architecture Top boot Top boot (FT = top boot block)
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Boîtier 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel —
Statut RoHS RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set CFI command set
Number of Terminals 48 —
Organisation de la mémoire — 512K x 16
Interface — Parallel
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Fiches techniques et ressources

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