M29W160ET70N3F vs M29W800FT70ZA3SE Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160ET70N3F от Micron Technology и M29W800FT70ZA3SE от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160ET70N3F M29W800FT70ZA3SE
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,80 $1,38
Тип памяти Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Размер памяти 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS SLC
Boot Block Architecture Top boot Top boot (FT = top boot block)
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Корпус 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel —
Статус RoHS RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set CFI command set
Number of Terminals 48 —
Организация памяти — 512K x 16
Интерфейс — Parallel
Рабочая температура — -40C to +125C
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену