M29W160FB70N3E vs M29W160EB70N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W160FB70N3E von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Aktiv
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M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W160FB70N3E M29W160EB70N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,58 $1,76
Speichertyp FLASH - NOR FLASH - NOR
Speichergröße 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
Gehäuse / Bauform 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Speicherorganisation — 2M x8 / 1M x16
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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