M29W160FB70N3E vs M29W160EB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160FB70N3E par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160FB70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $1,76 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Architecture | Boot block | — |
| Boîtier / Format | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Status Output | Data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes (boot block protection) | — |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |