M29W800FT70ZA3SE vs M29W160ET70N3F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W800FT70ZA3SE von Micron Technology und M29W160ET70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W800FT70ZA3SE M29W160ET70N3F
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $2,80
Speichertyp NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
Speichergröße 8 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Speicherorganisation 512K x 16 —
Technology SLC CMOS
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel —
Versorgungsspannung 2.7 V to 3.6 V 3 V / 3.3 V
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 48-TFBGA (6x8 mm) 48-pin TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set Parallel command set
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) Top boot
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Number of Terminals — 48

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