M29W800FT70ZA3SE vs M29W160ET70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W800FT70ZA3SE от Micron Technology и M29W160ET70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Активен
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W800FT70ZA3SE M29W160ET70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $2,80
Тип памяти NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
Размер памяти 8 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Организация памяти 512K x 16 —
Technology SLC CMOS
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V 3 V / 3.3 V
Рабочая температура -40C to +125C —
Корпус 48-TFBGA (6x8 mm) 48-pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set Parallel command set
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) Top boot
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Number of Terminals — 48

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену