M29W800FT70ZA3SE vs M29W160ET70N3F Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W800FT70ZA3SE por Micron Technology y M29W160ET70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Activo
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W800FT70ZA3SE M29W160ET70N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $2,80
Tipo de memoria NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
Tamaño de memoria 8 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Organización de memoria 512K x 16 —
Technology SLC CMOS
Access Time 70 ns 70 ns
Interfaz Parallel —
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V 3 V / 3.3 V
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 48-TFBGA (6x8 mm) 48-pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set Parallel command set
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) Top boot
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Number of Terminals — 48

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