M29W800FT70ZA3SE vs M29W160ET70N3F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FT70ZA3SE par Micron Technology et M29W160ET70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Actif
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W800FT70ZA3SE M29W160ET70N3F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $2,80
Type de mémoire NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
Taille de mémoire 8 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Organisation de la mémoire 512K x 16 —
Technology SLC CMOS
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V 3 V / 3.3 V
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 48-TFBGA (6x8 mm) 48-pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set Parallel command set
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) Top boot
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Number of Terminals — 48

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis