M321R4GA0EB0-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M321R4GA0EB0-CWM von Samsung Electronics und M321R4GA3EB0-CWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M321R4GA0EB0-CWM | M321R4GA3EB0-CWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $820,00 | $1.489,00 |
| Capacity | 32 GB | 32 GB |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Module Type | 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) | ECC Registered DIMM (RDIMM) |
| Datenrate | 5600 Mbps (DDR5-5600) | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| Bandwidth Class | PC5-44800 | PC5-44800 (44800 MB/s) |
| CAS-Latenz | CL46 | CL46 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Rank x Organization | 1R x 4 (Single Rank) | — |
| Module Configuration | 4G x 72 | — |
| DRAM Component Organization | 20 x FBGA 4G x 4 | — |
| Anzahl der Pins | 288 | — |
| ECC | Yes (Registered ECC) | Yes (Registered with ECC) |
| Application | Server / Workstation | — |
| Product Status | Sample (per Elite Memory Solutions listing) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Form Factor | — | 288-pin DIMM |
| Rank Configuration | — | 2Rx8 (Dual Rank) |
| Speicherorganisation | — | 4Gx72 |
| DRAM Composition | — | 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM |
| Configuration | — | 1 x 32 GB |
| Application Segment | — | Server / Datacenter |
| Marke | — | Samsung Electronics |
| GTIN / EAN | — | 5715328154490 |