M321R4GA0EB0-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM Comparación

Comparación detallada lado a lado de M321R4GA0EB0-CWM por Samsung Electronics y M321R4GA3EB0-CWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $820,00 $1.489,00
Capacity 32 GB 32 GB
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Module Type 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) ECC Registered DIMM (RDIMM)
Velocidad de datos 5600 Mbps (DDR5-5600) 5600 MT/s (PC5-44800)
Bandwidth Class PC5-44800 PC5-44800 (44800 MB/s)
Latencia CAS CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank x Organization 1R x 4 (Single Rank) —
Module Configuration 4G x 72 —
DRAM Component Organization 20 x FBGA 4G x 4 —
Número de pines 288 —
ECC Yes (Registered ECC) Yes (Registered with ECC)
Application Server / Workstation —
Product Status Sample (per Elite Memory Solutions listing) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Form Factor — 288-pin DIMM
Rank Configuration — 2Rx8 (Dual Rank)
Organización de memoria — 4Gx72
DRAM Composition — 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM
Configuration — 1 x 32 GB
Application Segment — Server / Datacenter
Marca — Samsung Electronics
GTIN / EAN — 5715328154490

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