M321R4GA0EB0-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M321R4GA0EB0-CWM par Samsung Electronics et M321R4GA3EB0-CWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M321R4GA0EB0-CWM | M321R4GA3EB0-CWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $820,00 | $1 489,00 |
| Capacity | 32 GB | 32 GB |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Module Type | 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) | ECC Registered DIMM (RDIMM) |
| Débit de données | 5600 Mbps (DDR5-5600) | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| Bandwidth Class | PC5-44800 | PC5-44800 (44800 MB/s) |
| Latence CAS | CL46 | CL46 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Rank x Organization | 1R x 4 (Single Rank) | — |
| Module Configuration | 4G x 72 | — |
| DRAM Component Organization | 20 x FBGA 4G x 4 | — |
| Nombre de broches | 288 | — |
| ECC | Yes (Registered ECC) | Yes (Registered with ECC) |
| Application | Server / Workstation | — |
| Product Status | Sample (per Elite Memory Solutions listing) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Form Factor | — | 288-pin DIMM |
| Rank Configuration | — | 2Rx8 (Dual Rank) |
| Organisation de la mémoire | — | 4Gx72 |
| DRAM Composition | — | 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM |
| Configuration | — | 1 x 32 GB |
| Application Segment | — | Server / Datacenter |
| Marque | — | Samsung Electronics |
| GTIN / EAN | — | 5715328154490 |