M321R4GA0EB0-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: M321R4GA0EB0-CWM 제조: Samsung Electronics 및 M321R4GA3EB0-CWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM ✓ 활성
Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $820.00 $1,489.00
Capacity 32 GB 32 GB
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Module Type 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) ECC Registered DIMM (RDIMM)
데이터 속도 5600 Mbps (DDR5-5600) 5600 MT/s (PC5-44800)
Bandwidth Class PC5-44800 PC5-44800 (44800 MB/s)
CAS 레이턴시 CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank x Organization 1R x 4 (Single Rank) —
Module Configuration 4G x 72 —
DRAM Component Organization 20 x FBGA 4G x 4 —
핀 수 288 —
ECC Yes (Registered ECC) Yes (Registered with ECC)
Application Server / Workstation —
Product Status Sample (per Elite Memory Solutions listing) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Form Factor — 288-pin DIMM
Rank Configuration — 2Rx8 (Dual Rank)
메모리 구성 — 4Gx72
DRAM Composition — 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM
Configuration — 1 x 32 GB
Application Segment — Server / Datacenter
브랜드 — Samsung Electronics
GTIN / EAN — 5715328154490

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청