MMG3002NT1 vs MMG3001NT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMG3002NT1 von NXP Semiconductors und MMG3001NT1 von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd

Spezifikationsvergleich

Parameter MMG3002NT1 MMG3001NT1
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $1,68
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Funktion General Purpose RF Amplifier (Class A) —
Frequency Range 40 MHz to 3600 MHz 40 MHz to 3.6 GHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output Power (P1dB) 21 dBm (typical) —
Versorgungsspannung 5.2 V (typical) —
Versorgungsstrom 110 mA (typical) 58 mA typical
Input / Output Impedance Internally matched to 50 ohm —
Gehäuse / Bauform TO-243AA (SOT-89) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RF Type General Purpose General Purpose Amplifier
Operating Mode Class A, small-signal, high linearity —
Anzahl der Pins 4 (3 + Tab) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS-Status Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MMG3001NT1
Output P1dB — 18.5 dBm
Noise Figure — 4.1 dB (typical)
Supply Voltage (Vcc) — 5 V typical, 5.6 V maximum
Topologie — Class A, internally biased
Input Matching — Internal, 50 ohm
Output Matching — Internal, 50 ohm
Gehäuse — SOT-89 (TO-243AA)
Betriebstemperatur — -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet]

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