MMG3002NT1 vs MMG3001NT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMG3002NT1 par NXP Semiconductors et MMG3001NT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd

Comparaison des spécifications

Paramètre MMG3002NT1 MMG3001NT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $1,68
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Fonction General Purpose RF Amplifier (Class A) —
Frequency Range 40 MHz to 3600 MHz 40 MHz to 3.6 GHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output Power (P1dB) 21 dBm (typical) —
Tension d'alimentation 5.2 V (typical) —
Courant d'alimentation 110 mA (typical) 58 mA typical
Input / Output Impedance Internally matched to 50 ohm —
Boîtier / Format TO-243AA (SOT-89) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RF Type General Purpose General Purpose Amplifier
Operating Mode Class A, small-signal, high linearity —
Nombre de broches 4 (3 + Tab) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Statut RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MMG3001NT1
Output P1dB — 18.5 dBm
Noise Figure — 4.1 dB (typical)
Supply Voltage (Vcc) — 5 V typical, 5.6 V maximum
Topologie — Class A, internally biased
Input Matching — Internal, 50 ohm
Output Matching — Internal, 50 ohm
Boîtier — SOT-89 (TO-243AA)
Température de fonctionnement — -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet]

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